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单组分硅片清洗配方

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单组分硅片清洗技术

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单组分硅片清洗剂配方

 

单组分硅片清洗剂配方技术工艺


光伏电池硅片要想获得高的光电转化效率,必须要有表面清洁的硅晶片, 电池硅片在生产前一定要先清洗,以去除杂质,对硅片的清洗要求是既能去除各类杂质又不破坏硅片性能。

太阳能硅片清洗剂,用于硅片切割研磨加工后的清洗,清除硅片表面的油脂、硅粉微粒、金属离子及有机物等沾污,以符合洁净度和表面状态的要求,配合超声波清洗工艺使用。

单组分硅片清洗剂主要用在单晶硅片、多晶硅片表面清洗处理,能有效地清除硅片表面的污染物,使硅片表面洁净如一。产品主要有钾盐、缓蚀剂、螯合剂、助洗剂、表面活性剂、增溶剂等组成,具有良好的去污、清洗性能,能有效去除硅片表面油污、硅片内部金属杂质以及粘附在硅片表面的硅粉、尘埃颗粒等,清洗后能够在硅片表面形成保护膜,防止颗粒二次吸附;产品无刺激性气味,本品对金属离子有很强剥离、络合、洗净效果;产品低泡,有良好的抑泡效果,超声波清洗线使用不会有泡沫溢出,易漂洗,清洗后的硅片表面无残留,硅片制绒及光电性能好;本品缓蚀性好,硅片表面不易产生过腐蚀,清洗后的硅片表面无白斑、花斑、腐蚀等不良,适用于制绒前硅片预清洗以及制绒后的后处理清洗。

技术参数(该技术参数仅供参考,部分参数可能会进行调整优化,以实际参数为准。)特性:低泡,洗净力强,缓蚀性好。化学成分:氢氧化钾、缓蚀剂、络合剂、助洗剂、表面活性剂等;外观气味:淡黄色透明液体;比重:1.20±0.05g/cm3;PH:12.5±0.5(5%水溶液);工作温度:50-60℃;处理方式;超声浸泡,2.5%左右加水稀释;处理时间:2-3分钟(以实际情况为准);游离碱度:350±25。

性能优势:1、洗净力强:适合清洗重污垢硅片;2、低泡产品:产品低泡,有良好的抑泡效果;3、缓蚀性好:不腐蚀硅片,不会出现发花现象;4、适用性强:适用于多种硅片清洗场合;5、高浓缩配比:浓缩配方;6、使用成本低:使用方便,添加量少,使用成本低。

特性:1、润湿性强,表面张力低,清洗力强;2、低温、常温清洗效果好,降低能耗;3、低泡沫,易漂洗;4、过腐蚀率低,不会造成硅片花片或白斑。

生产设备:普通搅拌设备;使用方法:稀释使用,超声波清洗;成本范围:根据稀释倍数确定。

技术服务:单组分硅片清洗剂配方生产技术280元,包括原料介绍、生产配方、工艺流程、使用方法等,提供技术支持。

 

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