实用技术市场网

光刻胶去胶液配方

找技术项目,首选这里!国内一流技术信息服务网站!

光刻胶剥离液配方

:::分类技术查询:::

轻工金工类

 

工艺礼品类

 

益智玩具类

 

食品饮料类

 

节能环保类

 

能源燃料类

 

防水堵漏类

 

医疗医药类

 

建筑建材类

 

装饰装潢类

 

农副种养类

 

技术超市类

 

创业方案类

 

日用日化类

 

实用技能类

 

精选专利类

 

清洁消毒类

 

汽车用品类

 

实用资料类

 

首页 |公司简介| |加盟合作| |热门技术| |技术汇编| |技术大全| |付款方式|

当前位置:网站首页 > 轻工金工 > 光刻胶去胶液

【1】订购方式 >> 业务电话(支持微信):19922632048 19902156486 业务QQ:810204083

【2】发货方式 >> 微信或邮箱在线发送,如需邮寄,邮费另计。
【3】交易方式 >> 1、微信、支付宝、网银等在线支付;2、货到付款(货款5%手续费、快递费20元)。

 

光刻胶去胶液配方


 

半导体光刻胶去胶液(光刻胶剥离液)配方技术

 

光刻胶也称为光致抗蚀剂,是一种不导电的光敏材料,它通过受到光照后特性会发生改变的原理将光刻掩膜版上的图形转移到晶圆片上。显影过后未固化的光刻胶需要用去胶液洗掉,暴露出底材再进行相应的蚀刻。目前市场上大部分去胶液存在去胶速度慢、有胶残留、长时间工作后腐蚀金属或伤钝化层的问题。

在集成电路制造工艺中,制造半导体器件一般会多次经历光刻工艺,该过程会用到一种不导电的光敏材料——光刻胶,也称为光致抗蚀剂。一般是将光刻胶涂抹在基材上,经过烘烤,曝光,显影后在半导体衬底的传导层上形成光刻图形,接着进行刻蚀工艺,刻蚀掉传导层上光刻胶图形没有掩盖的部分,将图形转移到晶圆表面上,在传导层图形形成后,光刻胶图形必须用光刻胶剥离剂从传导层去除。

半导体光刻胶去胶液(光刻胶剥离液)是涉及半导体加工技术领域,一款用于去胶效果好且对底材的攻击较小的正性光刻胶去胶液,去胶速度快、去胶能力强,去胶液体系稳定性提高,使用寿命长,表面张力低,对微小缝隙处的光刻胶去除效果好,体系中采用大量极性非质子有机溶剂,水溶性比较好,去胶过后容易清洗;体系中还原剂和阻蚀剂能有效抑制光刻胶去胶液对底材的腐蚀作用,在有效清除胶的同时抑制对半导体基板对金属、硅、氧化硅、钝化层等各种底材的腐蚀,延长了工作时间。

光刻胶去胶液配方成分:有机溶剂、有机醇胺、有机醇、金属保护剂和阻蚀剂等。

工作温度:40-50℃;处理时间:10-30分钟;处理方式:浸泡或喷淋。

本光刻胶去胶液去胶速度快、去胶能力强,稳定性高。在较低温度都能保持去胶性能,而且降低了对金属、硅、氧化硅、钝化等各种底材的腐蚀,延长了工作时间,水溶性好,容易清洗。

技术服务:半导体光刻胶去胶液(光刻胶剥离液)配方生产技术:280元,含生产配方、工艺流程、性能测试等,提供技术支持。

 

上一技术:中央空调在线清洗剂配方

下一技术:晶圆硅片退镀液配方

[购买方式] [返回首页]


版权所有 复制必究