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晶圆硅片退镀液配方生产技术
技术概述
在芯片晶圆硅片加工过程中，需要在晶圆表面镀上一层膜，即交替堆叠多层薄金属(导电)膜和介电(绝缘)膜，实现导电和保护的功能，这层膜非常薄，在镀膜工序中一旦出现不良镀膜时，需要对其进行退镀返工。
晶圆硅片退镀液是一种用于晶圆硅片镀膜不良返工退镀的环保产品；产品由有机酸、促进剂、剥离剂等组成，不含氢氟酸、盐酸、硫酸、硝酸等传统无机强酸，无刺激性气味，对人体较为安全；使用时无酸雾污染、无磷、无重金属污染；产品温和不伤手，无色轻微气味，无酸雾挥发，适合各种氧化膜金属膜退膜，还原镀膜前素材状态；产品常温处理不需加热，不伤基材，不伤硅片高抛光镜面；退膜速度快，速度接近无机强酸退膜速度，材料易得，成本低，使用寿命长。
本环保型晶圆硅片退镀液包含有机酸、络合剂、缓蚀剂以及加速剂，对多种镀层均具有良好的腐蚀脱除效果，同时不损伤基材，便于镀层返工；使用条件为加热50-60℃浸泡或常温浸泡，反应条件温和安全、可反复使用且化学性质稳定。
技术参数
化学成分：氟盐、环保有机酸、铵盐、碱金属酸式盐、缓蚀剂、水等；
外观气味：无色透明液体，轻微气味；
密度：1.00-1.05kg/L；
pH值：2.0-2.5。
性能优势
本环保型晶圆硅片退镀液以氟盐作为氧化剂，配合有机酸、络合剂、缓蚀剂以及加速剂，促进对阳极氧化膜的腐蚀作用，对多种镀层均具有良好的腐蚀脱除效果，速度快，同时使用硫脲作为缓蚀剂，保护基材不受酸性溶液腐蚀，不损伤基材，便于镀层返工；硫脲，一方面能在金属溶液界面上的活性区域发生吸附，使原来在界面活性区域发生的电化学反应受到阻滞，从而降低腐蚀的速度，能够有效保护底材不受酸性溶液腐蚀；另一方面兼具对金属镀层成分的金属离子(尤其铜离子)有强烈络合作用，在一定程度上加快对不良金属镀层的溶解。硫脲在本体系中创造性表现出双重作用—保护底材不受酸性溶液腐蚀、加快对不良金属镀层的溶解；
本退镀液通过氟盐、无毒金属盐及环保有机酸的协同作用，能达到使用盐酸、硝酸和氢氟酸等传统无机强酸快速去除不良镀层的良好效果，对传统盐酸、硝酸和氢氟酸等不环保无机强酸进行了很好的替代，避免了操作过程中会产生酸雾、危害人体健康及污染环境的弊端，具有无刺激性气味、对人体较为安全、使用时无酸雾污染、无磷、无重金属污染、安全环保等诸多优点。
使用方法
1.可将环保型晶圆硅片退镀液加热至50-60℃后，再将需要退镀返工的产品浸没其中，也直接可在常温下进行。将环保型晶圆硅片退镀液加热至50-60℃再进行浸泡可加快退镀速度，常温浸泡不加热也可以达到退镀效果，但退镀时间会延长。常温原液使用，处理时间通常5分钟-1小时不等，不同材质镀膜，退膜时间不同；2.加热使用，或增加空气搅拌，退膜速度更快；3.当退膜速度变慢时，可补充原液或更换槽液。
技术服务：晶圆硅片退镀液配方生产技术280元，包括生产配方、工艺流程、性能指标、使用方法等，提供技术支持。
上一技术：光刻胶剥离液配方生产技术下一技术：暂无
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