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双组分硅片清洗剂配方技术工艺
双组分硅片清洗剂主要用在单、多晶硅片表面清洗处理，能有效地清除硅片表面的污染物，使硅片表面洁净如一，特别适用于太阳能、电子半导体等行业硅片清洗。本品对油污、硅粉、金属离子、硅片切割液、研磨液等具有较好乳化、分散及清洁作用，尤其适合清洗重污垢硅片；本品对金属离子有很强剥离、络合、洗净效果；产品低泡，有良好的抑泡效果，超声波清洗线使用不会有泡沫溢出，清洗性能好，清洗后的硅片表面无残留,硅片制绒及光电性能好；本品缓蚀性好，硅片表面不易产生过腐蚀。本硅片清洗剂为双组分产品，浓缩配方，稀释使用，A组分主要有钾盐、缓蚀剂、络合剂、螯合剂、助洗剂组成，B组分主要由表面活性剂复配物组成，A、B组份配合使用，针对不同工况工艺适应性更强，洗涤能力更易调节，洗涤剂消耗更合理，减少了增溶剂的使用，产品成本更具竞争力。
技术参数（该技术参数仅供参考，部分参数可能会进行调整优化，以实际参数为准。）
A组分：高浓缩、洗净力强、缓蚀性好；化学成分：氢氧化钾、缓蚀剂、络合剂、助洗剂等；外观气味：无色无味透明液体；比重：1.20±0.05g/cm3；PH：12.5±0.5(5％水溶液）；工作温度：50-60℃；处理方式：超声浸泡，2％左右加水稀释，配合B 组分使用；处理时间：2-3分钟（以实际情况为准）；游离碱度：375±25点
B组分：低泡，渗透性好，抑泡效果好；化学成分：非离子表面活性剂复配物；外观气味：无色至淡黄色透明液体；比重：1.05±0.05g/cm3；PH：7.0±0.5(5％水溶液）；工作温度：50-60℃；处理方式：超声浸泡，1％左右加水稀释，配合A 组分使用；处理时间2-3分钟（以实际情况为准）。
性能优势：1、洗净力强：适合清洗重污垢硅片；2、低泡产品：产品低泡，有良好的抑抱效果；3、缓蚀性好：不腐蚀硅片，不会出现发花现象；4、适用性强：适用于多种硅片清洗场合；5、双组分设计：不同工况工艺适应性更强，洗涤能力更易调节；6、使用成本低：高浓度配比，添加量少，使用成本低。
太阳能硅片清洗流程一般推荐如下：切片-预冲洗-脱胶-插片-清洗-干燥
工艺参数（具体使用方法及用量根据实际情况灵活调整） ：槽液游离碱度：6-10点（2%左右稀释）；槽液温度：50-60℃；处理时间：2-3分钟。
检测方法：用移液管将10毫升槽液移入锥形瓶中，加入3~4酚酞指示剂，然后用0.1N的盐酸滴定，颜色由红色至无色即为终点，此时所消耗的0.1N的盐酸毫升数即为槽液的游离碱度。
技术服务：双组分硅片清洗剂配方生产技术280元，包括原料介绍、生产配方、工艺流程、使用方法等，提供技术支持。
上一技术：单晶硅碱性制绒添加剂配方生产技术下一技术：单组分硅片清洗剂配方生产技术
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